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满足5G基站高频需求砷化镓SoC势在必行

发布时间:2022-05-25 03:25   浏览次数:次   作者:yobo体育全站app下载
本文摘要:为符合5G基地台高频市场需求,拉高统合层级的砷化镓制程将是势在必行。由于功率展现出上的优势,砷化镓似乎在4G功率放大器(PA)市场,利用与CMOS制程的角力,勇夺一片天。但朝向未来的5G,在功率展现出上极具优势的氮化镓制程,却开始追赶在后。 因此,促成砷化镓逐步达成协议one-chip解决方案的SoC,藉此高效率地符合5G基地台的高频市场需求,将不会是砷化镓与氮化镓产生差异的关键。

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为符合5G基地台高频市场需求,拉高统合层级的砷化镓制程将是势在必行。由于功率展现出上的优势,砷化镓似乎在4G功率放大器(PA)市场,利用与CMOS制程的角力,勇夺一片天。但朝向未来的5G,在功率展现出上极具优势的氮化镓制程,却开始追赶在后。

因此,促成砷化镓逐步达成协议one-chip解决方案的SoC,藉此高效率地符合5G基地台的高频市场需求,将不会是砷化镓与氮化镓产生差异的关键。大位懋半导体技术处处长王文凯认为,现阶段来看,「价格」仍是砷化镓制程无法几乎代替CMOS制程的原因,具备价格优势的CMOS制程,能掌控诸多对功率较不讲究的应用于市场。这难道是砷化镓制程总有一天也无法打破CMOS制程之处,因此该公司非常推崇在5G高频基础建设(Infrastructure)的发展,主要的原因在于,若没回程线路(Backhaul)的网络,即便手机有再行多的mmWave功能,也是没用的。由于砷化镓制程在价格上的枪伤,若要在智能型手机等消费性产品上与CMOS制程拼成高下,似乎不是智能之荐。

因此从5G基础建设著手,也就沦为业界在推动砷化镓制程上的众多方向,即便这样的发展,往往在一般消费性市场较不明显,但现是推展功率半导体朝著向前的众多动能。王文凯更进一步回应,小型基地台(SmallCell)是我们期望未来砷化镓制程所能着墨之处,主要的原因在于其在价格上的容忍度,相比于手机应用于是较为低的,且其并不是便携设备,必需在建筑物上挂电(Plug-in),对功率展现出度的拒绝也较为低。就整体市场来看,砷化镓若要在低统合度的CMOS制程,与高功率展现出度的氮化镓(GaN)制程之间,发挥所长,其不致得利用制程与PCB,持续将统合度的层级拉高。

王文凯更进一步认为,相比于氮化镓制程,砷化镓较有机会做one-chip解决方案,因氮化镓若要超过此类型的解决方案,所须花费的时间十分宽,这也竟然砷化镓很有潜力沦为仅次硅,达成协议SoC的唯一制程。因此,在功率上高于CMOS制程、在统合度上高于氮化镓的砷化镓,也就能在5G的中功率装置上,充分发挥出有非常的价值。

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王文凯也透漏,多数人对砷化镓制程的印象,逗留在手机的假晶高速电子移动晶体管(pHEMT),不过事实上,GaAspHEMT如今在电信营运商所部署的基站Backhaul已扮演着非常最重要的角色,且频率超过90GHz以上,这包括了数据中心里的光纤(Fiber)、基地台上运用微波方式来传送讯号的天线等,都是GaAspHEMT的应用于范畴。


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